[发明专利]广域电磁深度约束反演成像方法、电子设备和存储介质在审
申请号: | 202111322004.8 | 申请日: | 2021-11-09 |
公开(公告)号: | CN116106978A | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 康家光;袁茂林;李爱勇;易建民;李金磊;林东成;詹少全;敬朋贵 | 申请(专利权)人: | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司勘探分公司;江苏华东八一四地球勘查有限公司(江苏省有色金属华东地质勘查局八一四队) |
主分类号: | G01V3/38 | 分类号: | G01V3/38 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张加庆 |
地址: | 100027 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 广域 电磁 深度 约束 反演 成像 方法 电子设备 存储 介质 | ||
1.一种广域电磁深度约束反演成像方法,其特征在于,包括:
步骤1:建立约束反演初始模型,引入钻孔信息作为约束反演的约束条件,所述钻孔信息包括目标深度层的顶面深度、底面深度和视电阻率;
步骤2:根据所述约束反演初始模型和所述约束条件进行约束反演,所述约束反演包括垂向网格剖分,在所述垂向网格剖分中,对所述目标深度层进行加密空间网格剖分,对非目标深度层进行稀疏空间网格剖分;
拟合所述目标深度层的频率-视电阻率曲线,得到约束反演的初始结果;
步骤3:判断所述初始结果是否可作为最终的约束反演结果,若否,则返回所述步骤1,直至所述约束反演的结果能够作为最终的反演结果。
2.根据权利要求1所述的广域电磁深度约束反演成像方法,其特征在于,所述约束反演过程包括拟合正演视电阻率曲线和实测视电阻率曲线;
所述约束反演结果能够作为最终的反演结果的标志包括:
所述正演视电阻率曲线与所述实测视电阻率曲线的拟合误差小于设定值。
3.根据权利要求1所述的广域电磁深度约束反演成像方法,其特征在于,所述步骤1中,建立所述约束反演初始模型的方法包括:
建立自由反演初始模型,对所述自由反演初始模型进行自由反演,得到自由反演的电阻率模型,将所述自由反演得到的电阻率模型作为所述约束反演初始模型。
4.根据权利要求3所述的广域电磁深度约束反演成像方法,其特征在于,得到所述自由反演的电阻率模型后,还包括:
利用已知地质资料或钻孔电阻率信息,对所述自由反演得到的电阻率模型进行修正,将修正后的电阻率模型作为所述约束反演的初始模型。
5.根据权利要求3或4所述的广域电磁深度约束反演成像方法,其特征在于,建立所述自由反演初始模型的方法包括:利用Bostick法对视电阻率进行处理,得到所述自由反演初始模型。
6.根据权利要求3或4所述的广域电磁深度约束反演成像方法,其特征在于,所述自由反演初始模型为:
Am×nXn=Bm
其中,
ρai表示实测电阻率,ρci表示正演电阻率,m表示观测点维数,n表示模型维数,A表示量纲归一化之后的偏导数矩阵,B表示归一化的电阻率残差,X表示预测模型的相对修改量,ΔM表示模型的修改量。
7.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括:
至少一个处理器;以及,
与所述至少一个处理器通信连接的存储器;其中,
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令,所述指令被所述至少一个处理器执行,以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-6任一项所述的广域电磁深度约束反演成像方法。
8.一种非暂态计算机可读存储介质,其特征在于,该非暂态计算机可读存储介质存储计算机指令,该计算机指令用于使计算机执行权利要求1-6任一项所述的广域电磁深度约束反演成像方法。
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