[发明专利]一种光电探测器芯片的刻蚀去胶方法

摘要

本发明涉及一种光电探测器芯片的刻蚀去胶方法，包括以下步骤：通过匀胶的方式在wafer的表面形成图形，然后通过曝光、显影的方式获得所需图形；采用CF4和O2的混合气体通过等离子体刻蚀机进行刻蚀最后采用流量2‑10sccm的O2刻蚀时间30秒至1分钟；放入去离子水中冲水，吹干之后采用稀释后的BOE进行浸泡一定时间；最后采用去胶液进行清洗，获得干净的刻蚀表面。本发明的有益之处在于，刻蚀过程中形成副产物可以被有效的去除，不会残留在磷化铟基的刻蚀的表面，导致器件报废。