[发明专利]激光器的制备方法及激光器在审

专利信息
申请号: 202111311772.3 申请日: 2021-11-08
公开(公告)号: CN114038742A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 马骁宇;何天将;刘素平;井红旗;刘振武;仲莉 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L21/225 分类号: H01L21/225;H01S5/20;H01S5/30;H01S5/343
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊晓
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供了一种激光器的制备方法及激光器,其制备方法包括:提供衬底。在衬底上形成包括未混杂的有源区的外延层。在外延层上的部分区域形成至少一层混杂层,用于提供目标离子。在混杂层和外延层上的裸露区域上形成抑制层,以抑制未被混杂层覆盖的外延层中的离子扩散挥发而产生缺陷。通过热退火工艺将混杂层的目标离子扩散到未混杂的有源区内,形成混杂的有源区。去除外延层上的混杂层以及抑制层。采用以上技术方案能够有效提高有源区的混杂效率,进而使激光器获得更好的蓝移效果,并能够有效降低目标离子扩散进入不需要混杂的各层的含量,从而降低激光器的缺陷,进而提高激光器的性能。
搜索关键词: 激光器 制备 方法
【主权项】:
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