[发明专利]发光装置在审
| 申请号： | 202111305371.7 | 申请日： | 2021-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114050175A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 赖柏君;施立伟 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;G09G3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光装置，包括第一基板、第一主动元件、阻障层、第一感光元件、平坦层以及第一发光二极管。第一主动元件位于第一基板上。阻障层位于第一主动元件上。第一感光元件位于阻障层上。平坦层位于第一感光元件上，且第一感光元件位于阻障层与平坦层之间。第一发光二极管位于平坦层上。第一发光二极管包括第一电极、发光层以及第二电极。第一电极电连接至第一主动元件。第一感光元件在第一基板的法线方向上不被第一电极完全遮蔽。发光层位于第一电极上。第二电极位于发光层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
