[发明专利]InP纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法及太阳能电池

摘要

本发明公开了一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法，包括以下步骤：将p型InP单晶片清洗、吹干；在p型InP单晶片表面制作纳米柱阵列，并用酸清洗；在纳米柱阵列侧面包裹上氧化层，并镀上透明导电层。本发明涉及的方法在制备过程中，同时实现了磷化铟纳米柱阵列和径向同质结的制备，通过控制刻蚀时间及H2含量，精确控制磷化铟表面掺杂浓度及深度，相比于其他生长径向同质结的方法，本方法设备简单，制备效率高。本发明还提供了一种太阳能电池，本发明提供的太阳能电池有较高的太阳光吸收率及转换效率。