[发明专利]InP纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将p型磷化铟单晶片清洗、吹干；

(2)在所述p型磷化铟单晶片的其中一个表面制作纳米柱阵列掩膜图形；

(3)利用电感耦合等离子体刻蚀机，在CH₄和H₂等离子体中对具有所述纳米柱阵列掩膜图形的所述表面进行刻蚀，得到磷化铟纳米柱径向同质结，所述磷化铟纳米柱径向同质结组成磷化铟纳米柱径向同质结阵列，并将所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列放进食人鱼酸中清洗；

(4)在所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列表面镀上氧化层，并将除了包裹在所述磷化铟纳米柱径向同质结的侧面之外的所述氧化层刻蚀干净，之后在所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列上镀上透明导电层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子体的总气压为5-20mTorr，所述CH₄的体积流量为20-40sccm，所述H₂的体积流量为0-40sccm。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，采用含有所述H₂的等离子体对所述p型磷化铟单晶片进行刻蚀，在所述p型磷化铟单晶片表面得到低掺p型磷化铟层或n型磷化铟层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磷化铟纳米柱径向同质结的长度为800-1200nm。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为10-40nm。

6.如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述氧化层为SiO₂或Al₂O₃。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明导电层的厚度为100-200nm。

8.一种太阳能电池，包括磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构，其特征在于，所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构采用如权利要求1-7任一所述的方法制备而成。

9.如权利要求8所述的一种太阳能电池，其特征在于，还包括金属电极和叉指电极，所述叉指电极设置在所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列结构的所述透明导电层上，所述金属电极设置在与所述磷化铟纳米柱径向同质结阵列相对的所述p型磷化铟单晶片的另一个表面上。