[发明专利]一种压电性氧化物单晶基板的制造方法、SAW滤波器在审
| 申请号： | 202111293376.2 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN114006590A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王阳;吴洋洋;曹庭松;陆彬 | 申请（专利权）人： | 北京超材信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/08 | 分类号： | H03H3/08;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李建忠;袁礼君 |
| 地址： | 102600 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种压电性氧化物单晶基板的制造方法，包括：制备富锂多晶粉体，将碳酸锂和金属氧化物混合，进行高温固相反应后，破碎，制备富锂多晶粉体，金属氧化物中的金属元素与压电性氧化物单晶基板中的金属元素相同，富锂多晶粉体中的锂与金属具有第一化学计量比，压电性氧化物单晶基板中的锂与金属具有第二化学计量比；制备还原片，将富锂多晶粉体与还原性粉体按照预置的比例混合，压片制备第一还原片和第二还原片；还原处理，将第一还原片、压电性氧化物单晶基板、第二还原片依次安放在支架上，高温还原处理预置时间后生成表面为伪化学计量组成的压电性氧化物单晶基板。由此，能够维持压电性氧化物单晶基板的极化构造，提高基板的压电性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压电 氧化物 单晶基板 制造 方法 saw 滤波器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京超材信息科技有限公司，未经北京超材信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111293376.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种荧光酮类试剂的制备方法
- 下一篇：文件保存方法和文件接收方法
