[发明专利]一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法在审
| 申请号： | 202111286568.0 | 申请日： | 2021-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN114093960A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王璐;乐雄英;陆祥;朱娜;李新岳;潘冬新 | 申请（专利权）人： | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/06;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 毛姗 |
| 地址： | 224005 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，包括：(1)将氢氧化钾溶液与双氧水混合得到溶液A，将硅片在溶液A中清洗去除表面脏污；(2)将氢氧化钾溶液与制绒添加剂混合得到溶液B，将硅片在溶液B中腐蚀形成金字塔绒面；(3)将氢氧化钾溶液与双氧水混合得到溶液C，将硅片在溶液C中清洗去除表面残留物；(4)将HF与HCl混合得到溶液D，将硅片在溶液D中继续去除表面残留物，营造酸性环境；(5)将硝酸银溶液、氢氟酸和双氧水混合得到溶液E，将硅片在溶液E中离子腐蚀，在金字塔表面形成纳米级的坑洞；(6)将氢氧化钾溶液与双氧水混合得到溶液F，将硅片置于溶液F中去除硅片表面残留物与多余的银离子，避免造成Rs过低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 反射 损失 单晶硅 片制绒 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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