[发明专利]光刻质量的优化方法、装置、电子设备、介质及程序产品在审
| 申请号： | 202111285528.4 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114065573A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘丽红;韦亚一;丁虎文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23;G06F17/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种光刻质量的优化方法，包括：基于特征矩阵法与布洛赫定理，确定由金属膜层表面粗糙度引入的波函数杂散项；将波函数杂散项输入至光刻质量偏差数学模型中进行计算仿真，得到金属膜层粗糙度对光刻质量的影响分析曲线，该影响分析曲线表征金属膜层粗糙度对光刻质量的影响结果；根据影响结果，降低金属膜层表面的粗糙度和/或在位于金属‑介质单元上方的掩膜版和空气之间设置金属‑介质多层膜结构，以优化金属‑介质单元的光刻质量。本公开还提供了一种光刻质量的优化装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 质量 优化 方法 装置 电子设备 介质 程序 产品 | ||
【主权项】：
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