[发明专利]一种采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法在审
| 申请号： | 202111283256.4 | 申请日： | 2021-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN114000101A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王慧;杜康哲;徐昊;刘敬华;蒋成保 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C10/44 | 分类号： | C23C10/44;C23C10/02;C23C10/60;C22F1/02;C22F1/10;C22C19/07 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 李晓莉;邓治平 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，所述包埋渗所用渗剂为硅粉、催化剂为氟化钠、填充剂为氧化物，高温抗氧化涂层结构由外到内分别为渗Si层、内部氧化层、基体。本发明通过调整包埋渗填充剂的种类和粒径调控渗Si层和内部氧化层厚度，开发出抗氧化性能良好、磁性能损失小的包埋渗Si工艺，所制备渗Si磁体与原始磁体相比磁性能下降很小，500℃条件下在空气中氧化500小时，磁性能基本不变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 包埋 工艺 制备 17 型钐钴 永磁 高温 氧化 涂层 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10-00 金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C10-02 .被覆材料的预处理
C23C10-04 .局部表面上的扩散处理，例如使用掩蔽物
C23C10-06 .使用气体的
C23C10-18 .使用液体，例如盐浴、悬浮液的
C23C10-28 .使用固体，例如粉末、膏剂的
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