[发明专利]一种采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法

权利要求书

1.一种采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，配制包埋渗试剂：

包埋渗试剂由以下重量百分比的原料制成：渗剂为25～45wt％硅粉、催化剂为3～5wt％氟化钠粉末、填充剂为50～70wt％氧化铝、氧化硅、氧化镁和氧化钙粉末中的一种或几种，将包埋渗试剂混合均匀，待用；

步骤二，钐钴磁体预处理：

将钐钴磁体做表面磨光处理，超声处理10～20分钟，吹干，待用；

步骤三，渗硅热处理：

将步骤二所得钐钴磁体放入坩埚中间部位，四周用步骤一配制的包埋渗试剂填充，密封，置于真空热处理炉；

在真空条件下，设置升温速率为5～10℃/min，开始加热，当温度升高到750～850℃时，保温2-4小时；然后在空气中冷却；待温度降到室温取出，超声清洗10～20分钟，吹干，即制得截面方向上硅元素呈浓度梯度变化的渗硅磁体；

步骤四，时效热处理：

将步骤三所得渗硅磁体放入真空热处理炉中，在真空条件下，设置升温速率为5～10℃/min，开始加热，当温度升高到750～850℃时，保温5～10h；然后以0.5～1.0℃/min的速率缓慢冷却；当温度降到400～500℃时，保温5～20h后，淬火，冷却至室温后取出，即得到表层渗硅2:17型钐钴永磁体。

2.根据权利要求1所述的采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，其特征在于：步骤二中，所述超声处理在酒精中进行。

3.根据权利要求1所述的采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，其特征在于：步骤一中，所述填充剂粒径为0.2～200μm的一种或多种混合。

4.根据权利要求1所述的采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，其特征在于：步骤三中，所述截面方向上硅元素呈浓度梯度变化的渗硅磁体，其表面渗层总厚度为10～50μm。

5.根据权利要求1所述的采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，其特征在于：步骤三中，所述截面方向上硅元素呈浓度梯度变化的渗硅磁体，其渗层微观结构由外向内依次为10～20μm渗硅层、10～50μm内部氧化层和基体，其中渗硅层为CoSi层、(Fe，Co)₂Si层和SmCo₂Si₂层中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，其特征在于：步骤三中，所述截面方向上硅元素呈浓度梯度变化的渗硅磁体，其渗层用微米划痕仪测试临界载荷为10～15N。

7.根据权利要求1所述的采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，其特征在于：步骤四中，所述表层渗硅2:17型钐钴永磁体，其室温剩磁损失为0.05～0.4kGs，室温磁能积损失为0.2～0.8MGOe，高温(500℃)剩磁损失为0.01～0.3kGs，高温(500℃)磁能积损失为0.1～1.0MGOe。

8.根据权利要求1所述的采用包埋渗硅工艺制备2:17型钐钴永磁高温抗氧化涂层的方法，其特征在于：步骤四中，所述表层渗硅2:17型钐钴永磁体，其在高温500℃氧化500h后的单位表面积质量增重为0.05～0.50mg/cm²。