[发明专利]一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202111277556.1 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114122352B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 宋江选;王帅;查光明 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 白文佳 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料及其制备方法，将粘合剂、导电碳黑和碳纳米管加入水中，得到混合溶液，在180℃～200℃对混合溶液进行喷雾干燥，得到多孔碳前驱体；对多孔碳前驱体进行热处理，得到多孔碳材料，在多孔碳材料的表面进行3min～5min的催化剂掺杂，得到改性多孔碳；在600℃～800℃条件下对改性多孔碳进行0.5h～1.5h的硅颗粒沉积处理，得到多孔碳内部沉积硅颗粒的硅碳材料前驱物；对得到的硅碳材料前驱物进行15min～20min的沉碳处理，得到多孔碳掺杂诱导硅沉积的硅碳负极材料，本发明得到的硅碳负极材料以多孔碳为基体，多孔碳在构建了强大导电网络的同时给硅颗粒提供了足够的膨胀空间，使得所制备的硅碳负极材料具有较高容量，并且循环性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 掺杂 诱导 沉积 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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