[发明专利]一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构在审
| 申请号： | 202111276011.9 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN113992162A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 兰蕾;魏海龙;王勇;陈斌 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，包括运算放大器的输入级电路，所述输入级电路中的输入差分对管采用三极管QD1和三极管QD2形成输入NPN对管；输入NPN对管的版图结构采用四管交叉结构；三极管QD1和三极管QD2的发射极与集电极之间设置有铝线，发射极与铝线的间距为5‑8μm。通过在运算放大器的输入级电路中将输入NPN对管的版图采用四管交叉(共重心)结构，版图结构上要求四管必须足够靠近并将面积裕量用来增加发射极面积以减小失调和噪声电压。本发明中利用现有NPN管设计面积，结合工艺规则，输入NPN对管的版图结构进行修正，实现国产电路辐照后参数合格。并且本发明的版图结构改进后不影响电路其他性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 运算放大器 辐射 加固 结构 | ||
【主权项】：
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