[发明专利]一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构

权利要求书

1.一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，其特征在于，包括运算放大器的输入级电路，所述输入级电路中的输入差分对管采用三极管QD1和三极管QD2形成输入NPN对管；

输入NPN对管的版图结构采用四管交叉结构；三极管QD1和三极管QD2的发射极与集电极之间设置有铝线，发射极与铝线的间距为5-8μm。

2.根据权利要求1所述的一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，其特征在于，所述发射极与发射极和集电极之间铝线的间距为5μm。

3.根据权利要求1所述的一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，其特征在于，所述输入级电路的输入NPN对管包括电容C6、电阻R12和电阻R11，电阻R12的一端连接正电源，电阻R11的一端连接正电源，电容C6的一端连接正电源，

电阻R12的另一端连接电阻R8的一端、电容C1的一端和电容C6的另一端，电容C1的另一端连接电阻10的一端；电阻R11的一端分别连接电阻R9的一端和电阻R10的另一端，电阻R8的另一端连接三极管QD1的集电极，电阻R9的一端连接三极管QD2的集电极；

三极管QD1的基极和三极管QD2的基极之间连接有二极管Q1、Q2、Q3和Q4组成的桥电路，三极管QD1的发射极和三极管QD2的发射极均分别连接负电源。

4.根据权利要求1所述的一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，其特征在于，所述铝线采用光刻技术设置在发射极与集电极之间。

5.根据权利要求1所述的一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，其特征在于，所述铝线的宽度为6-8μm。

6.根据权利要求1所述的一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，其特征在于，所述铝线与发射极和集电极之间的间距相等。