[发明专利]银纳米线/MXene高导电多功能加热、温度传感器件的制备方法在审
| 申请号： | 202111273009.6 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114220602A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 潘军;卞小龙;夏凯宇;杨中林;王雯雯;何晓雄 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C01B32/921;B22F1/0545;B22F1/062;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;俞慧 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种银纳米线/MXene高导电多功能加热、温度传感器件的制备方法。所述制备方法包括：(1)制得单层或2‑4层的Ti |
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| 搜索关键词： | 纳米 mxene 导电 多功能 加热 温度传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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