[发明专利]一种TiAlN复合薄膜的制备方法以及稀土掺杂TiAlN复合膜层在审
| 申请号： | 202111266165.X | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113981398A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡海潮;薛玉君;叶军;李航;畅为航;田昌龄;刘春阳;杨芳;马喜强;余永健 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/54 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 郭佳效 |
| 地址： | 471023 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于磁控溅射领域，具体涉及一种TiAlN复合薄膜的制备方法以及稀土掺杂TiAlN复合膜层。该方法包括以下步骤：(1)采用磁控溅射方式在基体表面制备稀土合金过渡层；所述稀土合金过渡层由La、Ce中的一种和Ti组成；(2)以氮气为工作气体，通过磁控溅射在稀土合金过渡层上制备TiAlLaN薄膜或TiAlCeN薄膜；其中，La或Ce的掺杂量为2.5～5.5％。本发明的采用磁控溅射制备稀土掺杂TiAlN复合薄膜，沉积所得薄膜致密性和膜基结合力好，摩擦学性能优良，非常适于TiAlN复合薄膜的工业化制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tialn 复合 薄膜 制备 方法 以及 稀土 掺杂 | ||
【主权项】：
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