[发明专利]一种电压法测试扩散结深的方法在审
| 申请号： | 202111264807.2 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113990767A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王怡鑫;侯斌;刘威;张文鹏;胡长青;王西岐;李照 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种电压法测试扩散结深的方法，先对硅衬底片的上部分进行氧化，之后按设计的版图对氧化层进行光刻，图形的形状为正方形且呈阵列式分布，每行相邻的两个图形间距依次增加，每相邻两行的间距大于所述两行中任意两个相邻图形间距的最大值，最后去除光刻区域的氧化层和光刻时的光阻剂；在硅衬底片的光刻区域注入或掺入杂质，之后去除表面的氧化层；将两根探针与图示仪连接，按光刻图形间距从小到大的顺序，用两根探针在样片上相邻的两个光刻图形上进行测试，片击穿时继续在下一个相邻的两个光刻图形上测试，直到无法击穿时记录上一个的图形的间距，再结合杂质横向扩散距离与扩散结深的比值，即可得到扩散结深，该方法成本低，适用范围广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 测试 扩散 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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