[发明专利]用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置在审
| 申请号： | 202111264358.1 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN113985240A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 陈睿;韩建伟;李赛;陈钱;梁亚楠;马英起;上官士鹏;朱翔;李悦;王璇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院国家空间科学中心 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/265 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了用于半导体器件瞬态辐射感生电荷的测量方法、系统及装置，方法包括将半导体测试器件固定在测试区域并通过直流电压源为半导体测试器件进行供电，通过辐照源诱发半导体测试器件产生感生信号；通过移动半导体测试器件，获取半导体测试器件发生单粒子瞬态脉冲信号的敏感位置，固定辐照源的入射位置，改变辐照源的入射能量，采集不同能量下的第一辐射感生信号；固定入射位置和入射能量，通过改变直流电压源的电压，采集不同电压下器件的第二辐射感生信号；根据第一辐射感生信号和第二辐射感生信号，获取半导体测试器件的瞬态辐射感生电荷，本发明根据上述方法对应设计了实现系统和装置，从而为半导体器件的抗辐射加固设计提供依据。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 瞬态 辐射 感生 电荷 测量方法 系统 装置 | ||
【主权项】：
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