[发明专利]半导体器件结构、其形成方法及半导体器件

摘要

本发明提供了一种半导体器件结构、形成方法及半导体器件，该半导体器件结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成K层沟道材料与K+1层沟道隔离材料交替堆叠的第一鳍型结构；在所述第一鳍型结构底部的第一层沟道材料上形成1_1场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_1场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_1金属互连线；在所述鳍型结构底部的第二层沟道材料上形成1_2场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_2金属互连线。按需重复执行上述过程，并制备栅极介质层和金属层，最终形成第一堆叠半导体器件结构。本发明通过在堆叠半导体器件结构的结构制备过程中穿插金属互连线的制备，达到增加电路集成度的目的。