[发明专利]托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法有效

专利信息
申请号: 202111243834.1 申请日: 2021-10-25
公开(公告)号: CN113983948B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 邱长军;陈勇;贺阳;龙海川;刘豪;李育森;邓新 申请(专利权)人: 南华大学
主分类号: G01B11/22 分类号: G01B11/22
代理公司: 衡阳市科航专利事务所(普通合伙) 43101 代理人: 刘政旺
地址: 421001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统及刻蚀深度标定方法,涉及核聚变装置技术领域。托卡马克第一壁材料激光刻蚀系统,包括真空装置、刻蚀装置和观测装置;真空装置包括真空气氛腔室、真空泵组和真空规;刻蚀装置包括刻蚀平台、光纤激光器和主控电脑。托卡马克第一壁材料刻蚀深度标定方法,步骤如下:预处理;离子注入;获取烧蚀前的13C离子浓度分布情况;激光刻蚀;计算激光刻蚀深度;获取激光刻蚀后的13C离子浓度分布情况;建立13C离子浓度与刻蚀深度对应关系的数据库。本发明将示踪元素13C用于托卡马克第一壁材料腐蚀深度的标定,为在线测量托卡马克第一壁材料的腐蚀深度提供了切实可行的方案。
搜索关键词: 马克 第一 材料 激光 刻蚀 系统 深度 标定 方法
【主权项】:
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