[发明专利]一种深紫外LED芯片级封装器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111242377.4 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114335295A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 万垂铭;王洪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/48 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 周春丽 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种深紫外LED芯片级封装器件及其制备方法。所述深紫外LED芯片级封装器件包括深紫外LED芯片、侧壁导光结构、石英透镜、透明层；所述深紫外LED芯片为倒装结构，设置于石英透镜镜下方，通过透明层连接深紫外LED芯片和石英透镜；所述侧壁导光结构设置于倒装的深紫外LED芯片外围，侧壁导光结构顶部贴于石英透镜下方。本发明所述的深紫外LED封装器件，不仅出光效率高，产品的耐深紫外的能力及可靠性及使用寿命得以显著提高，而且封装结构简单，有利于降低制备成本；而对于其制备方法，工艺简单易行，适合流水线工作，制备效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 芯片级 封装 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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