[发明专利]一种改进型锡基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用在审
申请号: | 202111239125.6 | 申请日: | 2021-10-25 |
公开(公告)号: | CN113991018A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 米启兮;朱子豪 | 申请(专利权)人: | 上海科技大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种改进型锡基钙钛矿薄膜的制备方法及其应用。本发明的制备方法包括:在清洗的导电玻璃上制备空穴传输层;配制含环状硫酮化合物和锡基钙钛矿材料的前驱液;旋涂前驱液,使用反溶剂一步生成钙钛矿薄膜,并退火,得到锡基钙钛矿薄膜。本发明在涂膜前驱液中引入了一类环状硫酮化合物,该类化合物能够有效地与锡离子配位,从而大幅减缓锡基钙钛矿材料的结晶速率,得到平滑致密、表面缺陷钝化的锡基钙钛矿薄膜,采用该薄膜制备得到的锡基钙钛矿太阳能电池,其光电转换性能、稳定性和工艺重复性都有显著提升,光电转换效率最高超过12%。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进型 锡基钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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