[发明专利]准一维冷原子源制备装置及方法在审

专利信息
申请号: 202111235256.7 申请日: 2021-10-22
公开(公告)号: CN114005571A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 万金银;刘亮;孙远;王鑫;张孝;王文丽 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G21K1/00 分类号: G21K1/00
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种准一维冷原子源的制备装置。所述准一维冷原子源的制备主要利用漫反射激光冷却原子技术;所述制备装置主要包括真空腔体、光学系统和冷原子密度分布测量系统。所述真空腔的外表面覆盖有对要冷却原子所需冷却激光的高漫反射率材料的横向圆柱形石英玻璃腔体;所述光学系统主要包括冷却激光、再抽运激光和探测激光。冷却激光和再抽运激光进入真空腔体后形成各向同性的准一维冷却光场对其内的背景原子气体进行激光冷却,探测激光对冷却后的原子进行吸收法探测。所述冷原子密度分布测量系统主要包括一对可移动的亥姆霍兹线圈,通过沿着探测方向均匀移动此线圈,对冷原子的密度分布进行测量。本发明在一种横向真空腔体中,实现了一种高光学厚度的均匀分布的准一维冷原子源的制备。在合适的原子源和激光系统情况,可以冷却和存储准一维的碱金属原子如锂、钠、钾、铷、铯及其他适于激光冷却的原子如亚稳态惰性气体原子。
搜索关键词: 准一维冷 原子 制备 装置 方法
【主权项】:
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