[发明专利]一维二硒化铂纳米带的制备方法及制备的二硒化铂纳米带在审
申请号: | 202111211600.9 | 申请日: | 2021-10-18 |
公开(公告)号: | CN113948612A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 谢丹;王怀鹏;孙翊淋;刘志方;任天令 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032;B81C1/00 |
代理公司: | 北京市中闻律师事务所 11388 | 代理人: | 冯梦洪 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
公开一种一维二硒化铂纳米带的制备方法,能够同时实现大规模、高质量制备和自取向制备。其包括:(1)在SiO |
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搜索关键词: | 一维二硒化铂 纳米 制备 方法 二硒化铂 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的