[发明专利]一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111201084.1 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113948638A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 岳建岭;陈晓平;胡海龙;黄小忠 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 长沙瀚顿知识产权代理事务所(普通合伙) 43223 | 代理人： | 吴亮;朱敏 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器，包括底电极、涂覆于所述底电极表面的存储介质层、沉积于所述存储介质层表面的顶电极；其中，所述底电极通过在衬底上沉积导电膜层制备得到；所述存储介质层为勃姆石薄膜层；所述顶电极为沉积于所述储存介质层表面的金属薄膜电极。本发明的高稳定性多值勃姆石基忆阻器，有多值存储特性，稳定性高，其中的存储介质层具有优异的生物相容性，在可植入生物忆阻器领域具有重要应用。本发明还提供一种高稳定性多值勃姆石基忆阻器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定性 多值勃姆石基忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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