[发明专利]一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向PN结极紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向PN结极紫外探测器，包括从下到上依次相接的N型欧姆接触下电极、N型衬底和低掺外延层，低掺外延层为N型低掺外延层或P型低掺外延层；当为N型低掺外延层时，N型低掺外延层表面通过选区离子注入形成P型阱区域，P型阱区域上设有P型欧姆接触上电极，P型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极；当为P型低掺外延层时，P型低掺外延层表面通过选区离子注入形成N型阱区域，N型阱区域上设有N型欧姆接触上电极，N型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极。本发明有效提升了探测器在极紫外波段的探测效率，同时显著提高了辐照稳定性以及温度稳定性。