[发明专利]一种含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202111190893.7 | 申请日： | 2021-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115957834A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 佛山奥素博新科技有限公司 |
| 主分类号： | B01L3/00 | 分类号： | B01L3/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 孟洁 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区桂城街道夏*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种含有超疏水结构的微流控芯片，属于微流控芯片技术领域，在疏水区内设置超疏水结构实现超疏水功能，超疏水结构是在绝缘层的上方制备特殊形状的表面微米阵列或纳米阵列。本发明还提供一种含有超疏水结构的微流控芯片的制备方法，采用双光子三维光刻设备在绝缘层的上方制备特殊形状的表面微米阵列或纳米阵列。本发明的含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法，避免了现有技术中采用进口含氟疏水材料的方式，能完全实现国产化，不再受国际贸易因素影响，同时也节省了采购和工艺成本，具有重要意义，适用性更广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 疏水 结构 微流控 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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