[发明专利]一种含有超疏水结构的微流控芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种含有超疏水结构的微流控芯片，其特征在于，将芯片范围划分为液滴驱动有效区和非有效区，疏水区的范围包含所述液滴驱动有效区的全部范围和非有效区的部分范围，非有效区的另一部分范围为芯片的外围区域；

在所述液滴驱动有效区内设有液滴驱动电极阵列用于驱动液滴流动，在所述疏水区内设置超疏水结构实现超疏水功能，所述超疏水结构是在绝缘层的上方制备特殊形状的表面微米阵列或纳米阵列，实现兼具绝缘和超疏水的功能。

2.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，所述超疏水结构为“T”形状的表面微米阵列或纳米阵列。

3.根据权利要求2所述的微流控芯片，其特征在于，所述超疏水结构为“T”形状的表面微米阵列，单元“T”形状的总体高度为H为1um，“盖帽”直径D₁为1um，“盖帽”高度H₁为0.3um，支柱直径D₂为0.4um，支柱高度H₂为0.7um，相邻“盖帽”的距离D₃为1um。

4.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，特殊形状的表面微米阵列或纳米阵列的材质为光刻胶。

5.根据权利要求1所述的微流控芯片，其特征在于，特殊形状的表面微米阵列或纳米阵列的范围为所述疏水区的范围。

6.一种如权利要求1所述的含有超疏水结构的微流控芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在芯片基底上依次制作驱动电路、所述液滴驱动电极阵列和绝缘层；

采用双光子三维光刻设备在绝缘层的上方制备特殊形状的表面微米阵列或纳米阵列。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用双光子三维光刻设备在绝缘层的上方制备特殊形状的表面微米阵列或纳米阵列：

在绝缘层上涂覆一层光刻胶；

将预设的特殊形状三维结构阵列设计图导入双光子三维光刻设备，采用双光子三维光刻设备对光刻胶进行光刻固化；

清洗去除未被光刻固化的光刻胶。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用去胶液湿法去除未被光刻固化的光刻胶。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，特殊形状的表面微米阵列或纳米阵列为T”形状的表面微米阵列或纳米阵列，特殊形状三维结构阵列设计图为“T”形状三维结构阵列设计图。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，“T”形状的表面微米阵列或纳米阵列，单元“T”形状的总体高度为H为1um，“盖帽”直径D₁为1um，“盖帽”高度H₁为0.3um，支柱直径D₂为0.4um，支柱高度H₂为0.7um，相邻“盖帽”的距离D₃为1um。