[发明专利]用于光刻胶晶片的曝光后处理的方法和装置在审
| 申请号： | 202111180980.4 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN113835299A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | V·巴巴扬;D·A·小布齐伯格;梁奇伟;L·戈代;S·D·耐马尼;D·J·伍德洛夫;R·哈里斯;R·B·摩尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/38;G03F7/40;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文所述的实施方式涉及用于执行浸没场引导的曝光后烘烤工艺的方法和装置。本文所述的装置的实施方式包括腔室主体，所述腔室主体限定处理容积。基座可设置在所述处理容积内，并且第一电极可耦接到所述基座。可移动杆可延伸穿过所述腔室主体且与所述基座相对，并且第二电极可耦接到所述可移动杆。在某些实施方式中，流体容纳环可耦接到所述基座，并且电介质容纳环可耦接到所述第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光刻 晶片 曝光 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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