[发明专利]晶片的加工方法和磨削装置在审
| 申请号： | 202111176040.8 | 申请日： | 2021-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114420620A | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 松冈祐哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/304;B24B7/04;B24B7/22;B24B27/00;B24B41/00;B24B41/06;B24B55/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 杨俊波;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供晶片的加工方法和磨削装置，用于抑制产生保护带从因背面磨削而直径变小的晶片的正面探出所引起的不良情况。一种晶片的加工方法，该晶片在外周形成有倒角部，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：带粘贴步骤，在晶片的正面上粘贴保护带，并且使保护带的直径与晶片的直径相同；磨削步骤，利用磨削磨具对保持工作台所保持的晶片的背面进行磨削而使晶片的厚度薄化成比原本的厚度的一半薄，从而晶片的直径缩小，保护带形成从晶片探出的探出部；以及收缩步骤，在实施了磨削步骤之后，对保护带的探出部进行加热而使探出部收缩。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 磨削 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
