[发明专利]等离子体CVD设备在审
申请号: | 202111164996.6 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN113913780A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 赵月 | 申请(专利权)人: | 新优势产业集团有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/458;C23C16/511 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 310051 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种等离子体CVD设备,腔体包括由底板、侧壁及壁及顶盖围合构成的内腔,侧壁内设有侧壁冷却腔,顶盖上设有均匀进气装置,底板上设有均匀排气装置,内腔的下部设有用于放置基材的平台,平台内部设有平台冷却腔,机架上的微波源与波导同轴转换装置连接,波导同轴转换装置的同轴输出端外导体与底板上的微波输入孔连接,内导体与平台冷却腔底部的开口相连,内导体内套设有冷却液输入管。本发明的等离子体CVD设备具有结构简单,效率高、基材取放操作方便且腔体体积小的优点。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 cvd 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的