[发明专利]一种利用二次键合硅基载板的SiC晶圆加工工艺

摘要

本发明属于半导体加工领域，公开了一种利用二次键合硅基载板的SiC晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、SiC基板背面CVD SiO2层；S2、在SiO2层表面键合硅基载板；S3、于SiC基板正面完成除高温制程外的其他晶圆正面制程；S4、将SiC基板放置在石墨托盘中，通过蚀刻除去SiO2层；S5、取出硅基载板；S6、将石墨托盘及SiC基板放入高温炉管中完成高温制程；S7、再次通过CVD于SiC基板正面沉积SiO2层；S8、在SiO2层表面再次键合硅基载板；S9、翻转硅基载板，进行后续晶圆制程。本发明利用硅载板沉积SiO2层与碳化硅基板形成永久键合，同时采用石墨托盘承载碳化硅基板进行高温制程，可以安全有效的进行碳化硅基板的高温回火。