[发明专利]一种可穿戴电子设备的导电电极及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111157659.4 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113972033B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘泰江;姚日晖;杨跃鑫;钟锦耀;李牧云;符晓;叶倩楠;邹文昕;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 殷妹 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种可穿戴电子设备的导电电极及其制备方法与应用。将剥离成只有少数几层的石墨烯片均匀穿插到致密的绝缘氧化银网络中，通过改性可以使得该复合材料稳定分散到有机溶剂中，在打印后，通过退火工艺获得可用于可穿戴电子设备的柔性导电电极。本发明工艺简单、成本低廉且无多余杂质，可通过打印在柔性基底上形成柔性的高性能导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 穿戴 电子设备 导电 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111157659.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：精准医疗健康大数据平台
- 下一篇：三元材料微粉回收处理的方法及其应用
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
