[发明专利]一种Cu-高熵合金薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111155888.2 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113913751B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 张金钰;李光亚;王亚强;吴凯;刘刚;孙军 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/34 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 崔方方 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种Cu‑高熵合金薄膜及其制备方法，Cu‑高熵合金薄膜的化学成分为Cu‑TaNbHfZr，其原子百分比为：不低于94.4的铜，其余元素为钽铌铪锆高熵合金，其中，钽铌铪锆高熵合金中原子百分比为钽：铌：铪：锆＝1：1：1：1；微观结构为完全纳米晶，晶粒尺寸为35.4±2nm；包含纳米孪晶的晶粒百分数不低于90％，孪晶片层厚度为2.4～3.5nm，利用磁控溅射技术的优势，沉积过程中温度较低，有利于形成纳米晶及纳米孪晶结构，且不同靶材共溅射使得合金元素宏观分布均匀，从而获得多组元合金化Cu薄膜，薄膜致密，与基体结合良好；晶粒尺寸稳定在纳米晶范畴，晶粒中镶嵌有大量的纳米孪晶；合金组成、成分可调控；强度高、高热稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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