[发明专利]用于制造无缺陷单晶硅晶体的方法和设备在审
| 申请号： | 202111152966.3 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN114318511A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 高梨启一;下崎一平 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜凝;张一舟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造无缺陷单晶硅晶体的方法和设备。一种晶体提拉机设备包括提拉组件，其用以以提拉速度从硅熔体提拉晶体；坩埚，其装纳硅熔体；在硅熔体的表面上方的热屏蔽件；升降器，其用以改变热屏蔽件和硅熔体的表面之间的间隙；以及一个或多个计算装置，其用以响应于提拉速度的变化在晶体的给定长度下使用Pv‑Pi容限来确定对间隙的调节。由计算装置进行的计算机实施的方法包括确定提拉速度命令信号以控制晶体的直径；确定升降器命令信号以控制热屏蔽件和从其生长晶体的硅熔体的表面之间的间隙；以及响应于不同的提拉速度使用Pv‑Pi容限来确定对间隙的调节。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 缺陷 单晶硅 晶体 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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