[发明专利]PMOS管触发双向硅控整流器

摘要

本发明提供了一种PMOS管触发双向硅控整流器，包括：衬底；深N阱，位于所述衬底上方；第一N阱、第一P阱、第二N阱、第二P阱及第三N阱，从左至右依次排列于所述深N阱上方；第一PMOS管，包括P型栅极及位于所述P型栅极两侧的P型源/漏区；两个N型掺杂区，分别位于所述第一P阱和所述第二P阱中；具有PMOS管的静电脉冲侦测电路，具有控制端口及两个电压端口，每个所述电压端口分别与对应的所述P型源/漏区及对应的所述N型掺杂区电性连接，所述控制端口与所述P型栅极电性连接以向所述P型栅极输出控制电压控制所述第一PMOS管的通断；本发明降低了双向硅控整流器的触发电压，提高了其适用性。