[发明专利]磁场传感器和制造磁场传感器的方法在审
| 申请号： | 202111132926.2 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114563740A | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郑萍;卓荣发;孙永顺 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00;G01R33/07;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁场传感器和制造磁场传感器的方法，该磁场传感器可包含具有平坦表面的半导体结构以及第一、第二及第三感测装置。该半导体结构可包含其中具有二维电子气的半导体构件及设置在该半导体构件上的绝缘体构件。该第一感测装置可配置为感测沿平行于该平坦表面的第一轴的磁场。该第二感测装置可配置为感测沿着平行于该平坦表面且正交于该第一轴的第二轴的磁场。该第三感测装置可配置为感测沿与该平坦表面成直角的第三轴的磁场。该第一、第二及第三感测装置中的每个可形成于该半导体结构中，且可包含从该绝缘体构件延伸到该二维电子气的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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