[发明专利]提高IGBT退饱和保护精度电路、方法、介质及电子设备在审
| 申请号： | 202111129507.3 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113922649A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 易平森 | 申请（专利权）人： | 智新控制系统有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/32 | 分类号： | H02M1/32;H02M1/08 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 韩梦晴 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种提高IGBT退饱和保护精度电路、方法、介质及电子设备，该高IGBT退饱和保护精度包括驱动电路模块、防反灌电路模块、IGBT电路模块及电源电路模块；驱动电路模块用于输出第一电流；防反灌电路模块的一端与驱动电路模块的一端电连接；IGBT电路模块的一端与防反灌电路模块的另一端电连接，另一端与驱动电路模块的另一端电连接；电源电路模块设于驱动电路模块与所述IGBT电路模块之间，并与驱动电路模块、IGBT电路模块均并联连接，电源电路模块的输出端与防反灌电路模块的一端电连接；通过增加电源电路，使IGBT电路模块的两端饱和压降与驱动电路模块的阈值电压的电压误差在可控范围内，使IGBT电路模块的两端饱和压降的精度大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 igbt 饱和 保护 精度 电路 方法 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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