[发明专利]提高IGBT退饱和保护精度电路、方法、介质及电子设备

说明书

本申请涉及一种提高IGBT退饱和保护精度电路、方法、介质及电子设备，该高IGBT退饱和保护精度包括驱动电路模块、防反灌电路模块、IGBT电路模块及电源电路模块；驱动电路模块用于输出第一电流；防反灌电路模块的一端与驱动电路模块的一端电连接；IGBT电路模块的一端与防反灌电路模块的另一端电连接，另一端与驱动电路模块的另一端电连接；电源电路模块设于驱动电路模块与所述IGBT电路模块之间，并与驱动电路模块、IGBT电路模块均并联连接，电源电路模块的输出端与防反灌电路模块的一端电连接；通过增加电源电路，使IGBT电路模块的两端饱和压降与驱动电路模块的阈值电压的电压误差在可控范围内，使IGBT电路模块的两端饱和压降的精度大大提高。

技术领域

本申请涉及汽车芯片技术领域，特别涉及一种提高IGBT退饱和保护精度电路、方法、介质及电子设备。

背景技术

随着电动汽车的不断发展，人们对电动汽车的可靠性有了更高的要求。电机控制器是电动汽车的核心安全部件，而其中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor-绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点)模块更是电机控制器中的核心，高压电池包能量通过IGBT模块的转换传递给电机，从而驱动电动汽车。为保证在异常工况下，能够对IGBT核心部件实现精确迅速的保护，对保护精度也提出了更高的要求。

由于驱动芯片保护引脚输出电流较小，且精度不高，会造成退饱和阈值电压偏差过大，触发退饱和故障时，流过IGBT的电流偏差很大，无法精确有效的保护IGBT模块。

发明内容

本申请实施例提供一种提高IGBT退饱和保护精度电路、方法、介质及电子设备，通过增加电源电路，使IGBT电路模块的两端饱和压降与驱动电路模块的阈值电压的差值误差在可控范围内，使IGBT电路模块的两端饱和压降的精度大大提高，能够有效保护IGBT电路模块。

第一方面，提供了一种提高IGBT退饱和保护精度，包括驱动电路模块、防反灌电路模块、IGBT电路模块及电源电路模块；驱动电路模块用于输出第一电流；防反灌电路模块的一端与所述驱动电路模块的一端电连接；IGBT电路模块的一端与所述防反灌电路模块的另一端电连接，另一端与所述驱动电路模块的另一端电连接；电源电路模块设于所述驱动电路模块与所述IGBT电路模块之间，并与所述驱动电路模块、所述IGBT电路模块均并联连接，所述电源电路模块的输出端与所述防反灌电路模块的一端电连接，用于输出第二电流至所述防反灌电路模块；其中，所述防反灌电路模块用于防止输入至所述IGBT电路模块的高电压反灌至所述驱动电路模块。

一些实施例中，所述驱动电路模块包括驱动芯片，及与所述驱动芯片的检测引脚并联连接的电容；所述驱动芯片的检测引脚与所述电源电路模块、所述IGBT电路模块均并联连接，所述驱动芯片的检测引脚的输出端与所述防反灌电路模块电连接；所述电容与所述电源电路模块、所述IGBT电路模块均并联连接，所述电容的一端与所述防反灌电路模块电连接。

一些实施例中，所述防反灌电路模块包括二极管，所述二极管的正极与所述驱动芯片的检测引脚、所述电容的一端、及所述电源电路模块的输出端均电连接，所述二极管的负极与所述IGBT电路模块的一端连接。

一些实施例中，所述驱动芯片还包括控制信号输入引脚、电源输入引脚、信号输出引脚、复位信号引脚、反馈信号引脚及电压输入引脚。

一些实施例中，所述电源电路模块为恒流源电路。

第二方面，提供了一种提高IGBT退饱和保护精度方法，应用于如上述所述的提高IGBT退饱和保护精度电路，包括以下步骤：

获取驱动芯片的检测引脚输出的第一电流；

获取电源电路模块输出的第二电流；