[发明专利]基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法在审

专利信息
申请号: 202111123932.1 申请日: 2021-09-24
公开(公告)号: CN114038934A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 杨涛;徐兵;王恩会;侯新梅;方志;周林林;薛优;刘爽;郑亚鹏;吕煜诚;邢原铭;王博 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0312
代理公司: 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 代理人: 刘敏
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,步骤包括:对碳化硅单晶片掺杂得到铝氮共掺杂碳化硅;通过阳极电化学刻蚀法在铝氮共掺杂碳化硅表面形成一维碳化硅;取一维碳化硅溶解形成分散液滴于二氧化硅片上,分散剂挥发后在二氧化硅片表面形成分散平铺的一维碳化硅;在二氧化硅片上的一维碳化硅两端蒸镀高温合金电极;二氧化硅片退火氧化在一维碳化硅表面封装二氧化硅层。本发明提供的基于共掺杂一维SiC纳米结构的高温紫外光电探测器制备方法,制作简单、紫外光检测率高、能够适应高温环境且高温环境服役时间较长。
搜索关键词: 基于 掺杂 sic 纳米 结构 高温 紫外 光电 探测器 制备 方法
【主权项】:
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