[发明专利]一种ITO陶瓷靶材的制备方法

摘要

本发明提供了一种ITO陶瓷靶材的制备方法，包括以下步骤：将纯度为99.99%的In2O3粉末和SnO2粉末按质量比为(90～97):(10～3)进行湿法球磨混合，球磨过程加入少量有机添加剂，得到流动性能良好的ITO浆料；将所得的ITO浆料进行喷雾造粒，得到的球形状ITO造粒粉；将所得的ITO造粒粉进行模压成型得到形状规则的ITO素坯；之后ITO素坯进行冷等静压二次压制；将冷等静压后的ITO素坯低温脱脂去除有机添加剂；将脱脂后的ITO素坯进行热等静压烧结制备出高致密度、低电阻率的ITO靶材。热等静压处理过程中选用低碳钢作为包套，不锈钢作为隔离材料，以防包套与靶材反应，便于后期剥离。本发明有效地降低了制备ITO靶材过程中所需的烧结温度及烧结时间，解决了传统常压烧结工艺生产周期过长的问题，对于提高靶材生产效率起着至关重要的意义。