[发明专利]一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法在审
| 申请号： | 202111106540.4 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113921192A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 于欣格;高瞻 | 申请（专利权）人： | 香港城市大学成都研究院 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14;H01B1/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人： | 刘沁 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，包括(S1)对玻璃衬底清洗后进行干燥处理；(S2)将玻璃衬底预处理；(S3)在玻璃衬底上喷涂银纳米线溶液；(S4)在银纳米线导电薄膜上旋涂光刻胶，并进行预退火处理；(S5)利用光刻掩膜版辅助，曝光光刻胶薄膜；(S6)将玻璃基板浸入显影液中显影；(S7)采用物理洗刷方式将暴露在光刻胶外的银纳米线完全去除；(S8)将玻璃基板上残留的光刻胶完全去除；(S9)对玻璃基板进行干燥处理；(S10)将聚乙烯醇溶液浇灌在玻璃基板上覆盖整个电极图案，等待晾干后，揭起PVA薄膜，获得微纳银纳米线透明电极。本发明解决了金属刻蚀时间长和刻蚀不完全导致的导电沟道边缘粗糙的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高精度 图案 微纳银 纳米 透明 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
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