[发明专利]一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法

权利要求书

1.一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(S1)对玻璃衬底清洗后进行干燥处理；

(S2)将干燥后的玻璃衬底预处理；

(S3)在玻璃衬底上喷涂银纳米线溶液；

(S4)在银纳米线导电薄膜上旋涂光刻胶，并进行预退火处理；

(S5)利用光刻掩膜版辅助，曝光光刻胶薄膜；

(S6)将曝光后的玻璃基板浸入显影液中显影；

(S7)采用物理洗刷方式将暴露在光刻胶外的银纳米线完全去除；

(S8)将玻璃基板上残留的光刻胶完全去除；

(S9)对玻璃基板进行干燥处理；

(S10)将聚乙烯醇溶液浇灌在玻璃基板上覆盖整个电极图案，等待晾干后，揭起PVA薄膜，获得微纳银纳米线透明电极。

2.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S1)中对玻璃衬底清洗是依次采用去离子水、乙醇溶液和丙酮溶液对玻璃衬底进行超声清洗。

3.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S2)中预处理方法为采用O2 Plasma对玻璃衬底进行10-15min的预处理。

4.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S3)中银纳米线溶液的浓度满足2-5mg/ml，银纳米线长度约满足20-30μm，同时直径满足20-30nm。

5.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S4)中的旋涂方式为前级500rpm，时间10s，后级3000rpm，时间30s，其中，预退火时间为5min。

6.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S5)中曝光时间满足20-30s。

7.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S6)中，显影液按照AZ 400K∶水＝1∶4的比例配置而成，其中，显影时间满足20-30s。

8.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S7)中物理洗刷方式为利用尼龙长杆排刷对玻璃基板进行反复刷洗，将银纳米线完全去除。

9.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S8)中去除残留的光刻胶的方法是将玻璃基板浸入丙酮溶液中，去除残留的光刻胶。

10.根据权利要求1所述的一种高精度可图案化的微纳银纳米线透明电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(S10)中聚乙烯醇溶液浓度满足8-10wt.％。