[发明专利]一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111097705.6 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113802103B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 符亚军;杨镜鑫;王进;曹林洪;黄亚文 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/54;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 黄燕 |
| 地址： | 621000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用，属于材料制备技术领域。上述方法包括：采用直流磁控溅射方式于基底表面沉积钨薄膜，冷却以使钨薄膜与基底分离。磁控溅射条件包括：溅射气压为＞0且≤1Pa，溅射功率为50‑90W，溅射时间为1‑4h，氩气流量为20‑40sccm，靶基距为5.5‑6.5cm，基底的转速为1‑10r/min，基底的温度为200‑600℃。该方法简单便捷、成本低廉、无化学污染，能够制备得到在无衬底支撑的条件下可独立存在的金属钨薄膜。该自支撑金属钨薄膜表面具有微孔结构以及较高的硬度，可用于制备光电子器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 金属 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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