[发明专利]一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202111097152.4 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113921600A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 莫春兰;邢啸泉;吴小明;王立;李新华;陈芳;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构及其制备方法，该n型AlGaN上的低阻欧姆电极结构包括：n型AlGaN层，金属电极层，其特征在于：在所述n型AlGaN层和金属电极层之间设有一个AlN界面层；所述的n型AlGaN层和AlN界面层指向金属电极层的面为氮极性面；n型AlGaN层中的Al组分大于50%；AlN界面层的厚度为50‑150nm。该制备方法通过在高Al组分n型AlGaN层上引入AlN界面层，从而达到较低接触电阻的目的。本发明可有效地解决高Al组分n型AlGaN接触电阻较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algan 欧姆 电极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司，未经南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111097152.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
