[发明专利]一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法在审
| 申请号： | 202111094760.X | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN115822574A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王学军;李凤娇;周凯;袁波;齐仁理;周艳;李素华;曾传富 | 申请（专利权）人： | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司中原油田分公司勘探开发研究院 |
| 主分类号： | E21B49/00 | 分类号： | E21B49/00 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 王凯迪 |
| 地址： | 457001 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，属于油气勘探领域。现有低勘探程度区岩心样本有限，分析化验数据少，不能准确评价优质烃源岩分布。通过对低勘探程度区内地层的成熟度、丰度进行划分，找出成熟且高有机碳含量烃源岩段作为目标烃源岩段，根据目标烃源岩段的气测录井全烃含量数据确定气测录井全烃含量增大倍数。根据同盆地内与低勘探程度区毗邻的成熟探区的气测录井全烃含量数据，确定在成熟探区中优质烃源岩段的最小的气测录井全烃含量增大倍数作为评价参数。将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的目标烃源岩段，进一步评价，有机质类型为干酪根Ⅰ型和/或干酪根Ⅱ1型的腐泥型烃源岩段为优质烃源岩段。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 勘探 程度 优质 烃源岩 分布 评价 方法 | ||
【主权项】：
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