[发明专利]一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法

权利要求书

1.一种低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)获取成熟勘探区中钻井的有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据；所述成熟勘探区毗邻低勘探程度区；

2)根据步骤1)中的有机碳含量数据和气测录井全烃含量数据，找出成熟勘探区中优质烃源岩段中的有机碳含量最低的标准烃源岩段，确定所述标准烃源岩段的最小的气测录井全烃含量增大倍数作为评价参数；

所述气测录井全烃含量增大倍数为气测录井全烃含量数据与气测录井全烃含量数据中基值的比值；

3)获取低勘探程度区内钻井的气测录井全烃含量数据，计算低勘探程度区的气测录井全烃含量增大倍数；

4)将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的岩段划分为优质烃源岩段。

2.根据权利要求1所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，获取低勘探程度区的镜质体反射率曲线，将镜质体反射率处于设定范围内的岩段标定为成熟烃源岩段；步骤4)中，将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的成熟烃源岩段划分为优质烃源岩段。

3.根据权利要求2所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，获取低勘探程度区镜质体反射率曲线的方法为：获取低勘探程度区中岩心样本的岩心分析数据，所述岩心分析数据包括镜质体反射率和深度，根据镜质体反射率与深度的回归方程，计算没有岩心分析数据的岩段的镜质体反射率，得到镜质体反射率曲线。

4.根据权利要求2所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，所述设定范围为0.7％～1.3％。

5.根据权利要求3或4所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，获取低勘探程度区的声波时差和电阻率，根据声波时差和电阻率计算有机碳含量，将有机碳含量大于设定值的岩段标定为高有机碳含量烃源岩段；步骤4)中，将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的成熟、高有机碳含量烃源岩段划分为优质烃源岩段。

6.根据权利要求5所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，根据声波时差和电阻率计算有机碳含量的方法为：利用声波时差和电阻率曲线重叠的ΔLogR法计算有机碳含量。

7.根据权利要求5所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，所述设定值为1％。

8.根据权利要求6或7所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，还获取低勘探程度区的热解峰峰顶温度图版，确定低勘探程度区中设定有机质类型的腐泥型烃源岩段；步骤4)中，将低勘探程度区中气测录井全烃含量增大倍数大于评价参数的高有机碳、腐泥型、成熟的烃源岩段划分为优质烃源岩段。

9.根据权利要求8所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，所述设定有机质类型为干酪根Ⅰ型和/或干酪根Ⅱ1型。

10.根据权利要求8所述的低勘探程度区优质烃源岩分布的评价方法，其特征在于，对所述优质烃源岩段内开展地震叠后波阻抗和地质统计学反演，描述优质烃源岩段的分布。