[发明专利]一种调节IGBT开通和关断损耗比例的新型结构在审
| 申请号： | 202111088813.7 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113871470A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 陆潇;王海军 | 申请（专利权）人： | 上海擎茂微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 | 代理人： | 王奎宇;杨孟娟 |
| 地址： | 200241 上海市闵行区东川*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种调节IGBT开通和关断损耗比例的新型结构，包括第一接地沟槽、第一门极沟槽、发射极接触、第二门极沟槽及第二接地沟槽；第一接地沟槽和第一门极沟槽之间有第一无源台面，第一无源台面上设有发射极接触；第一门极沟槽和第二门极沟槽之间有源台面，有源台面还设有发射极接触；第二门极沟槽和第二接地沟槽之间设有第二无源台面，第二无源台面上设有发射极接触；在第一无源台面和第二无源台面的发射极接触被分隔成第一P阱和第二P阱，第一P阱和第二P阱之间通过高阻通路联通，第一P阱或第二P阱其中一个的第一侧通过氧化层与发射极金属连接。在本申请控制开通损耗/关断损耗比例可以被精准的分配以达到开通损耗与关断损耗的最优值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 igbt 开通 损耗 比例 新型 结构 | ||
【主权项】：
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