[发明专利]基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器有效

专利信息
申请号: 202111088025.8 申请日: 2021-09-16
公开(公告)号: CN113904205B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 吴侃;陈建平 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: H01S3/063 分类号: H01S3/063;H01S3/1109
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器,该芯片自下向上依次是衬底、二氧化硅包层、掺铒铌酸锂薄膜和射频电极;利用光刻刻蚀所述的掺铒铌酸锂薄膜,形成脊型掺铒铌酸锂波导;在所述的掺铒铌酸锂波导的两侧、互相平行地设置所述的射频电极。本发明采用掺铒铌酸锂薄膜作为波导,即保留了掺铒波导的低噪声增益特性,又引入了铌酸锂波导的电光特性,满足了主动锁模激光器所需的增益和调制需求,配合直流偏置,可以实现低噪声且重频连续可调的集成主动锁模激光器。通过脊型掺铒铌酸锂波导将电极间距靠近,降低所需的调制电压和电功耗,对信号光和泵浦光模斑的强束缚还可以增加两者的交叠,提升泵浦效率。
搜索关键词: 基于 掺铒铌酸锂 波导 芯片 激光器
【主权项】:
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