[发明专利]用于提高芯片内SRAM PUF稳定性的电路装置及方法在审
| 申请号： | 202111075324.8 | 申请日： | 2021-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN113889156A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘徐港;肖继银;李宏杰;徐芳 | 申请（专利权）人： | 武汉瑞纳捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C29/42;G06F21/71;H04L9/32 |
| 代理公司： | 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242 | 代理人： | 赵红万 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于提高芯片内SRAM PUF稳定性的电路装置及方法，电路装置包括多个并列连接的PMOS管，所有PMOS管的栅极均连接芯片内部逻辑控制信号Vg，所有PMOS管的源极均连接芯片内SRAM阵列供电电源输入端，所有PMOS管的漏极均连接芯片内部供电电源。本发明利用PMOS管阵列为芯片内SRAM阵列供电，且提出对应的控制开启和关闭的方式，保证每次SRAM上电时，SRAM供电电源快速从0V上升到正常工作电压，缩短SRAM供电电源在CMOS电路易受干扰的电压段(300～500mV)停留时间，提高芯片内部SRAMPUF稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 提高 芯片 sram puf 稳定性 电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
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